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1N5819UR-1E3中文资料High-Reliability Diodes数据手册Microchip规格书

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厂商型号

1N5819UR-1E3

参数属性

1N5819UR-1E3 封装/外壳为DO-213AB,MELF(玻璃);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

功能描述

High-Reliability Diodes
DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

封装外壳

DO-213AB,MELF(玻璃)

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 13:52:00

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1N5819UR-1E3规格书详情

描述 Description

This 1 Amp schottky barrier rectifier is metallurgically bonded and offers military grade qualifications for the part numbers of 1N5819UR-1 and 1N6761UR-1 for high-reliability applications.  This small diode is hermetically sealed and bonded into a DO-213AB MELF glass package.  ROHS, PB Free

简介

1N5819UR-1E3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5819UR-1E3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5819UR-1E3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/586

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    70pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-213AB,MELF(玻璃)

  • 供应商器件封装:

    DO-213AB(MELF,LL41)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MSC
专业军工
NA
1000
只做原装正品军工级部分订货
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DO-213AB(MELF LL41)
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