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1N5819UR-1E3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
1N5819UR-1E3 |
参数属性 | 1N5819UR-1E3 封装/外壳为DO-213AB,MELF(玻璃);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY |
功能描述 | High-Reliability Diodes |
封装外壳 | DO-213AB,MELF(玻璃) |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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1N5819UR-1E3规格书详情
描述 Description
This 1 Amp schottky barrier rectifier is metallurgically bonded and offers military grade qualifications for the part numbers of 1N5819UR-1 and 1N6761UR-1 for high-reliability applications. This small diode is hermetically sealed and bonded into a DO-213AB MELF glass package. ROHS, PB Free
简介
1N5819UR-1E3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5819UR-1E3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号:
1N5819UR-1E3
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/586
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
70pF @ 5V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
DO-213AB,MELF(玻璃)
- 供应商器件封装:
DO-213AB(MELF,LL41)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 125°C
- 描述:
DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
DO213AB |
7350 |
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25+23+ |
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Microchip Technology |
25+ |
DO-213AB(MELF LL41) |
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