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1N5819HWQ中文资料1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书

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厂商型号

1N5819HWQ

参数属性

1N5819HWQ 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SCHOTTKY RECTIFIER SOD123

功能描述

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SCHOTTKY RECTIFIER SOD123

封装外壳

SOD-123

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:20:00

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1N5819HWQ规格书详情

描述 Description

The device is a single rectifier offering low VF and excellent high temperature stability. 

特性 Features

•High Surge Capability
•Low Power Loss, High Efficiency
•High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
•Guard Ring Die Construction for Transient Protection
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device 
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable

应用 Application

• For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters

• Free Wheeling

• Polarity Protection Application

简介

1N5819HWQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5819HWQ二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N5819HWQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • PPAP Capable

    :Yes

  • Configuration

    :Single

  • Maximum Average Rectified Current IO

    :1 A

  • @ Terminal Temperature TT

    :90 ºC

  • Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM

    :40 V

  • Peak Forward Surge Current IFSM

    :25 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.45

  • @ IF

    :1 A

  • Maximum Reverse Current IR

    :1000 µA

  • @ VR

    :40 V

  • Reverse Recovery Time trr

    :N/A ns

  • Total Capacitance CT

    :50 pF

  • Packages

    :SOD123

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
21+
SOD123
27000
全新原装
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DIODES/美台
22+
SOD123
27000
原装正品
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DIODES/美台
21+
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20000
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