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1N5819WB	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE 1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Plasticsurfacemountedpackage;2leads	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5819WB	文件：227.07 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode 1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode Plasticsurfacemountedpackage;2leads	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5819WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5819WS	文件：523.419 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819WS	文件：603.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •NegligibleReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5819WS	文件：557.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	FS First Silicon Co., Ltd	FS
1N5819WS	文件：530.81 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Guardingforovervoltageprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819WS	文件：99.1 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ●Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5819WS	文件：1.232 Mbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Generalrectification LowVF;LowIR Highreliability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
1N5819WS	文件：470.3 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ♦LowForwardVoltageDrop ♦GuardRingConstructionforTransientProtection ♦NegligibleReverseRecoveryTime ♦LowCapacitance ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ♦Case:SOD-323 ♦Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ♦Appro	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
1N5819T-G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 VRRM=40V, IAV=1.0A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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