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1N5819T-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5819TR	文件：79.79 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1.0A DESCRIPTION The1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5819TR	文件：88.36 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER1.0Amp Description/Features The1N5818/1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleaded	IRF International Rectifier	IRF
1N5819U	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	Aerospace45VpowerSchottkyrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5819UR	文件：34.05 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N5819UR	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819W	文件：1.96288 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5819W	文件：135.01 Kbytes Page：4 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Features: •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N5819W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
1N5819T-G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 VRRM=40V, IAV=1.0A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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