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1N5819M	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819PT	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT1.0Ampere	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5819-R	文件：586.61 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadSchottkyDiode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5819RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5819RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RL	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819S	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5819S	文件：52.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	1N5819DIP	DIODES	23+	DIP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	1N5819DIP	DIODES		DIP	1800	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	1N5819DO-214	MIC	19+	SMA	16200	原装正品,现货特价	询价
深圳市益百分电子有限公司	1N5819DO-214	xilinx	22+	SMA	6800		询价
深圳市源铭芯科技有限公司	1N5819DO-214	xilinx	23+	SMA	8000	全新原装	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	1N5819-DS14W	TOSHIBA/GC	23+	SOD123LF	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	1N5819-DS14W	TOSHIBA/GC	24+	NA/	6250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	1N5819-DS14W	TOSHIBA/GC	24+	SOD123LF	60000		询价
深圳市鹏和科技有限公司	1N5819-E3/23	VISHAY	24+	DO-41	5000	只做原装公司现货	询价
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