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1N5818WS	文件：557.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	FS First Silicon Co., Ltd	FS
1N5818WS	文件：523.419 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5818WV	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
H1N5818	文件：38.48 Kbytes Page：3 Pages	1.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
VS-1N5818	文件：95.67 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1.0A FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline •Highfrequencyoperation •Verylowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxy encapsulationforenhancedmechanical strengthandmoistureresistance •Guardringforenhancedruggednessand longtermreliability •Compliantt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-1N5818	文件：122.87 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1.0A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-1N5818TR	文件：122.87 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1.0A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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