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1N5818W	文件：123.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
1N5818W	文件：75.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818W	文件：471.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818WB	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE 1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Plasticsurfacemountedpackage;2leads	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5818WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5818WB	文件：227.07 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode 1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode Plasticsurfacemountedpackage;2leads	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5818WS	文件：603.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •NegligibleReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5818WS	文件：470.3 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ♦LowForwardVoltageDrop ♦GuardRingConstructionforTransientProtection ♦NegligibleReverseRecoveryTime ♦LowCapacitance ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ♦Case:SOD-323 ♦Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ♦Appro	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818WS	文件：530.81 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Guardingforovervoltageprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5818WS	文件：99.1 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ●Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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