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1N5818T-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5818TR	文件：88.36 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER1.0Amp Description/Features The1N5818/1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleaded	IRF International Rectifier	IRF
1N5818TR	文件：79.36 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1.0A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5818W	文件：477.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5818W	文件：319.46 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYDIODESSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
1N5818W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818W	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5818W	文件：277.45 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5818W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5818W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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