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1N5817W	文件：284.79 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features: •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtec	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5817W	文件：123.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
1N5817W	文件：135.01 Kbytes Page：4 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Features: •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N5817W	文件：59.98 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSPECIALISTS VOLTAGERANGE-20to40VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES Forgeneralpurposeapplications Lowturn-onvoltage Fastswitchingtime Idealforsurfacemountedapplications	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N5817W	文件：75.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5817W	文件：1.70938 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23-3LPlastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5817W	文件：241.91 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features: ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtec	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5817W	文件：471.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5817WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5817WB	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE 1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Plasticsurfacemountedpackage;2leads	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
1N5817T-G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 VRRM=20V, IAV=1.0A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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