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1N5817-T	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817-T	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817-TB	文件：47.27 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5817-TB	文件：36.9 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5817T-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5817TR	文件：90.3 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1.0A DESCRIPTION The1N5817axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5817W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5817W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5817W	文件：319.46 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYDIODESSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
1N5817W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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