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1N5817RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5817RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RL	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RLG	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817S	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5817S	文件：52.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5817S	文件：583.81 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5817S	文件：269.2 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
1N5817S	文件：242.91 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

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产品属性

产品编号：
1N5817G/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO041，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N5817G/TR	Microchip Technology	25+	DO-41	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	1N5817H		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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