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1N5792

EPITAXIAL 4-LAYER DIODES 10-15YOLTS 150mW

• Low Breakover (Switching) Voltage - 10 to 15·Volt Ratings • Fast Switching Speeds - ton = 75 ns (Typ) toff = 250 ns (Typ) • Low Junction Capacitance - 45 pF (Typ) • Low Breakover Currents • Subminiature Glass Package

文件:228.6 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N5817

DO-41

MIC

昌福电子

上传:深圳市乐创天科技有限公司

1N5817

DO-214

1N5817

SOD123

TOSHIBA/东芝

1N5817SOD123

SOD123

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更多1N5792供应商 更新时间2025-12-1 17:00:00