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1N5610E3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：G，轴向；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G AXIAL	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
1N5618	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-15	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市宇创芯科技有限公司	VISHAY
1N5644A	文件：0 bytes Page：0 Pages	DO-15	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市宇创芯科技有限公司	VISHAY
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产品属性

产品编号：
1N5610E3
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500/434
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
30.5V
电压 - 击穿（最小值）：
33V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
47.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
32A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
G，轴向
供应商器件封装：
G，轴向
描述：
TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G AXIAL

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