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1N5407	文件：47.05 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Highsurgecurrentcapability Constructionutillizesvoid-freemoldedplastictechnique 3.0AoperationatTL=105oCwithnoth	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
1N5407	文件：39.66 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASILICONRECTIFIER -DiffusedJunction -LowForwardVoltageDrop -HighCurrentCapability -HighReliability -HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5407	文件：32.21 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5407	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	3.0ARECTIFIER Features •DiffusedJunction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto200APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5407	文件：151.28 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability MECHANICALDATA Case:Moldedplastic Epoxy:UL94V-0rateflameretardant *Lead:Axialleads,solderableperMIL-STD-20	BYTES Bytes	BYTES
1N5407	文件：45.39 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦3.0AmpereoperationatTL=105°Cwithnot	GE GE Industrial Company	GE
1N5407	文件：38.7 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpereGeneralPurposeRectifiers •3.0ampereoperationatTA=75°Cwithnothermalrunaway. •Highcurrentcapability. •Lowleakage.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N5407	文件：159.1 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES .TheplasticpackagehasUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique .Highsurgecurrentcapability .3.0AoperationatTL=75withnothermalrun	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N5407	文件：66.63 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers FEATURES -Highefficiency,LowVF -Highcurrentcapability -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Lowpowerloss -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5407	文件：34.87 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-3.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY

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产品属性

产品编号：
1N5407-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5407-TP供应商更新时间2025-5-15 16:30:00

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