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1N5368B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5368B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5368B	文件：71.54 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRefulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5368B	文件：45.55 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N5368B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5368B	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5368B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5368B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5368B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5368B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
1N5368B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
描述：
DIODE ZENER 47V 5W DO15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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