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1N5366B	文件：60.85 Kbytes Page：3 Pages	5WGlassPassivatedZenerDiode	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N5366B	文件：161.69 Kbytes Page：3 Pages	5WATTZENERDIODES 5WATTZENERDIODES	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5366B	文件：428.33 Kbytes Page：5 Pages	5WattZenerDiode5.1to200Volts POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhigh powerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.Add suffixBfor±5tolerance.otherzenervoltage andtolerancesareavailableuponrequest.	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
1N5366B	文件：209.18 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5366B	文件：1.05186 Mbytes Page：6 Pages	5WZenerDoides Features Zenervoltage:3.3V~200V Highreliability Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength MechanicalData Case:MoldedplasticDO-15 Terminals:Solderplated,solderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Colorbanddenot	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5366B	文件：135.67 Kbytes Page：3 Pages	5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5366B	文件：138.42 Kbytes Page：4 Pages	5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5366B	文件：361.494 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N5366B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5366B	文件：99.79 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
1N5366C
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
5.0W, VZ = 39V, ? 2% - Tape and Reel
功能描述：
DIODE ZENER 5.0W 39V 2% T-18

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