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1N5363A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5363A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5363B	文件：121.8 Kbytes Page：2 Pages	5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange5.1to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent MechanicalData ●Case:DO-15Moldedplastic ●Epoxy:UL94V-0rateflameretardant ●Lead:AxialleadsolderableperMIL-STD-202, Method208guaranteed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5363B	文件：948.25 Kbytes Page：4 Pages	5WZenerDiode5.1to200V Features •ZenerVoltageFrom5.1Vto200V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •Marking:Cathodebandandtypenumber •Halogenfreeavailableuponrequ	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5363B	文件：164.23 Kbytes Page：3 Pages	5.0WATTSZENERDIODEEXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
1N5363B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5363B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5363B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5363B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5363B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
1N5363C
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
5.0W, VZ = 30V, ? 2% - Tape and Reel
功能描述：
DIODE ZENER 5.0W 30V 2% T-18

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