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1N5358B	文件：361.494 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N5358B	文件：71.54 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRefulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5358B	文件：45.55 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N5358B	文件：424.92 Kbytes Page：42 Pages	500mWDO-35GlassZenerVoltageRegulatorDiodes 500mWDO-35GlassZenerVoltageRegulatorDiodes GENERALDATAAPPLICABLETOALLSERIESINTHISGROUP500MilliwattHermeticallySealedGlassSiliconZenerDiodes Thisisacompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcap	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
1N5358B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5358B	文件：93.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation5W •NominalZ-voltage8.7…200V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.1g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage1	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
1N5358B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5358B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5358B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5358B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
1N5358C
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
Silicon 5 Watt Zener Diodes

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