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1N5352B	文件：93.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation5W •NominalZ-voltage8.7…200V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.1g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage1	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
1N5352B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5352B	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5352B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5352B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5352B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5352B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5352B	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
1N5352B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5352B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron

详细参数

型号：
1N5352ATR
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
Silicon 5 Watt Zener Diodes

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