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1N4935G-T	文件：88.29 Kbytes Page：3 Pages	1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4935G-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
1N4935G-T3	文件：54.75 Kbytes Page：4 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4935G-TB	文件：54.75 Kbytes Page：4 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4935L	文件：67.6 Kbytes Page：3 Pages	1.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4935L	文件：59.07 Kbytes Page：2 Pages	1.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features •DiffusedJunction •FastSwitchingforHighEfficiency •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto30APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4935-LFR	文件：126.5 Kbytes Page：2 Pages	1AFASTRECOVERYPLASTICRECTIFIER FEATURES •LOWCOST •PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 •1AMPEREOPERATIONATTA=55°CWITHNOTHERMALRUNAWAY •FASTSWITCHINGFORHIGHEFFICIENCY •EXCEEDSENVIRONMENTALSTANDARDSOFMIL-STD-19500 •HIGHTEMPERATURESOLDERINGG	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
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1N4935RL	文件：48.97 Kbytes Page：4 Pages	Axial?묹eadFast?뭃ecoveryRectifiers Axial−lead,fast−recoveryrectifiersaredesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterferenceandfreewheelingdiodes.Acompletelineoffastrecoveryrectifiershavingtypicalrecoverytimeof150nanosecondsprovi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
1N4935G-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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