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1N4007L-T	文件：74.52 Kbytes Page：3 Pages	1.0A RECTIFIER 文件：74.52 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N4007L-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41	PAM 龙鼎微	PAM
1N4007P	文件：638.28 Kbytes Page：2 Pages	Glass Passivated Standard Rectifier 文件：638.28 Kbytes 页数：2 Pages	YENYO 元耀科技	YENYO
1N4007-PJ	文件：651.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERS 文件：651.49 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
1N4007PT	文件：71.35 Kbytes Page：2 Pages	SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere 文件：71.35 Kbytes 页数：2 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

产品属性

产品编号：
1N4007L-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
8pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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更多1N4007L-T供应商更新时间2025-9-30 15:49:00

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