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1N4001GL-T	文件：84.99 Kbytes Page：3 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4001GL-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
1N4001GP	文件：316.2 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT1.0AmpereVOLTAGE50to1300Volts CURRENT1.0AmpereVOLTAGE50to1300Volts Features ·TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Highcurrentcapability ·Lowreverseleakage ·Glasspassivatedjunction ·Lowforwardvoltagedrop ·Hightemperaturesolderinggu	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N4001GP	文件：500.83 Kbytes Page：4 Pages	1AmpGlassPassivatedRectifier50-1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N4001GP	文件：47.31 Kbytes Page：3 Pages	1AmpGlassPassivatedRectifier50-1000Volts Features ·GlassPassivatedJunction ·LowCurrentLeakage ·MetalurgicallyBondedConstruction ·LowCost MaximumRatings ·OperatingTemperature:-55°Cto+150°C ·StorageTemperature:-55°Cto+150°C ·MaximumThermalResistance;20°C/WJunctionToLead	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4001GP	文件：147.19 Kbytes Page：2 Pages	SINTEREDGLASSJUNCTIONPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000V CURRENT:1.0A FEATURE Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction Sinteredglasscavityfreejunction CapabilityofmeetingenvironmentalstandardofMIL-S-19500 Hightemperaturesolderingguaranteed 350℃/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N4001GP	文件：81.34 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionRectifier GlassPassivatedJunctionRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilityapplication •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,typicalIRlessthan0.1μA •Highforwardsurgecapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4001GP	文件：155.52 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMEGARECTIFIERS Features ■HIGHTEMPERATUREMETALLURGICALLYBONDEDCONSTRUCTION ■CAPABILITYOFMEETINGENVIRONMENTALSTANDARDSOFMIL-S-19500 ■SINTEREDGLASSCAVITY-FREEJUNCTION	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
1N4001GP	文件：55.18 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedJunctionPlasticRectifiers 1.0AMP.GlassPassivatedJunctionPlasticRectifiers Features Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassification94V-O Glasspassivatedcavity-freejunction CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4001GP	文件：79 Kbytes Page：3 Pages	1AmpGlassPassivatedRectifier50-1000Volts Features •GlassPassivatedJunction •LowCurrentLeakageandLowCost •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
1N4001GL-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
8pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N4001GL-T	Diodes Incorporated	25+	DO-41	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳兆威电子有限公司	1N4001GM1	時科SHIKUES	22+	SMA	20000	原装正品现货	询价
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