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1N4001G	文件：40.03 Kbytes Page：5 Pages	Rectifiers(Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction) DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellent	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
1N4001G	文件：53.91 Kbytes Page：3 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstructio ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4001G	文件：399.38 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFGLASSPASSIVATEDRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES Highreliability Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Glasspassivatedjunction	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N4001G	文件：16.329 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONRECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Glasspassivatedchip Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4001G	文件：151.95 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Glasspassivatedjunction	BYTES Bytes	BYTES
1N4001G	文件：140.11 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1300Volts ForwardCurrent-1.0Amperes FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Highcurrentcapability •Lowreverseleakage •Glasspassivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Hightemperaturesold	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4001G	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto30APeak •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4001G	文件：91.81 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedStandardRectifier Current:1A Votlage:50~1000V Features ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Lowreverseleakagecurrent ●HighSurgecurrentcapability	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4001G	文件：84.99 Kbytes Page：3 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4001G	文件：51.35 Kbytes Page：2 Pages	1AGENERALPURPOSEGPPDIODES ReverseVoltage50to1200VForwardCurrent1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratories FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability *Glasspassivated	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

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