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1N3671A	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	MILITARY SILICON POWER RECTIFIER Military Silicon Power Rectifier • Available in JAN, JANTX and JANTXV • MIL-PRF-19500/260 • Glass passivated die • Glass to metal seal construction • 240 Amps surge rating • VRRM to 1000 volts 文件：129.539 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N3671A	文件：129.34 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 250A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1600V 文件：129.34 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N3671A	文件：140.12 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A FEATURES • Voltage ratings from 50 V to 1000 V • High surge capability • Low thermal impedance • High temperature rating • Can be supplied as JAN and JAN-TX devices in accordance with MIL-S-19500/260 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：140.12 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N3671A	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier Military Silicon Power Rectifier • Available in JAN, JANTX and JANTXV • MIL-PRF-19500/260 • Glass passivated die • Glass to metal seal construction • 240 Amps surge rating • VRRM to 1000 volts 文件：106.56 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N3671A	文件：449.73 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Standard Recovery Diode [GeneSiC Semiconductor, Inc.] Features • High Surge Capability • Types up to 1000 V VRRM 文件：449.73 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N3671A	文件：103.56 Kbytes Page：4 Pages	12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES Description/Features ■ Voltage rating from 50 to 1,000 volts ■ High surge capability ■ Low thermal impedance ■ High temperature rating ■ Can be supplied as JAN and JAN-TX devices in accordance with MIL-S-19500/260 文件：103.56 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
1N3671A	文件：760.01 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types from 800 V to 1000 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：760.01 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N3671A	文件：773.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：773.21 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N3671A	文件：152.93 Kbytes Page：6 Pages	Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A 文件：152.93 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N3671A	文件：781.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：781.2 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC

产品属性

产品编号：
1N3671A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/260
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
STANDARD RECTIFIER

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