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1N4001B-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4001D	文件：73.14 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
1N4001E	文件：48.71 Kbytes Page：2 Pages	1AGENERALDIODES 1AGENERALDIODES	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N4001E	文件：86.08 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A FEATURE Moldedcasefeatureforautoinsertion Highcurrentcapability Lowleakagecurrent Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N4001E	文件：45.13 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES Highrelliability Lowreverseleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
1N4001F	文件：131.57 Kbytes Page：3 Pages	RectifierDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4001F	文件：273.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSiliconRectifiersReverseVoltage-50to1000VForwardCurrent-1A	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
1N4001F	文件：564.28 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIERDIODESREVERSEVOLTAGE50VTO1000VFORWARDCURRENT1A	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
1N4001FF	文件：30.39 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadStandardRecoveryRectifiers AxialLeadStandardRecoveryRectifiers Thisdatasheetprovidesinformationonsubminiaturesize,axialleadmountedrectifiersforgeneral−purposelow−powerapplications. Features •ShippedinPlasticBags,1000perbag •AvailableTapeandReeled,5000perreel,byaddinga“RL”suffixtot	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N4001FF	文件：45.17 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadStandardRecoveryRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
1N4001B-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4001B-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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