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Marking：1H630L；Package：SOT1210；N-channel 30 V, 1.9 mΩ, 160 A logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 technology 1.Generaldescription LogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK33package. NextPowerS3technologydeliverslowRDSon,lowIDSSleakageandhighefficiency.Ratedto160A andoptimizedforDCloadswitchandhot-swapapplications. 2.Featuresandbenefits •Optimized | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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