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1ED21X7X	文件：678.92 Kbytes Page：21 Pages	650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD) Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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1ED21X7X

文件：678.92 Kbytes

Page：21 Pages

650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

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