650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features • Infineon thin-film-SOI-technology • Maximum blocking voltage +650 V • Output source/sink current +4 A/ -4 A • Maximum supply voltage of 25 V • Integrated ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode • Negative VS transient immunity of 100 V • Detection of over current and under voltag

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Infineon

英飞凌

INFINEON
8-SOIC

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