TMUX1108RSVR芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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TMAG5111A4AQDBVR	文件：2.57985 Mbytes Page：44 Pages	丝印：1B2；Package：SOT-23；TMAG511x 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch 文件：2.57985 Mbytes 页数：44 Pages	TI 德州仪器	TI
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TMUX1108RSVR	文件：1.36423 Mbytes Page：38 Pages	丝印：1B2；Package：UQFN；5V / (-)2.5V, Low-Leakage-Current, 8:1 Precision Multiplexer 文件：1.36423 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
TMAG5111B2AQDBVRQ1	文件：2.14995 Mbytes Page：45 Pages	丝印：1B2Z；Package：SOT-23；TMAG511x-Q1 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch 1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results: – Device temperature grade 1: –40°C to 125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification Level H3A – Device CDM ESD classification Level C6 • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functi 文件：2.14995 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
TMAG5111B2AQDBVRQ1	文件：2.15844 Mbytes Page：45 Pages	丝印：1B2Z；Package：SOT-23(DBV)；TMAG511x-Q1 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch 1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results: – Device temperature grade 1: –40°C to 125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification Level H3A – Device CDM ESD classification Level C6 • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functi 文件：2.15844 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
TMAG5111B2AQDBVRQ1.A	文件：2.15844 Mbytes Page：45 Pages	丝印：1B2Z；Package：SOT-23(DBV)；TMAG511x-Q1 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch 1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results: – Device temperature grade 1: –40°C to 125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification Level H3A – Device CDM ESD classification Level C6 • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functi 文件：2.15844 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI

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