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AN1A4Z	文件：81.3 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1A4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4Z	文件：236.04 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1A4Z	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
AP1A4A	文件：84.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AP1A4M	文件：84.58 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AQ1A4A	文件：104.02 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICandmotorsolenoidavailableup to2A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AR1A4A	文件：96.56 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICoutputandactuatoravailable •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AR1A4M	文件：96.56 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICoutputandactuatoravailable •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BA1A4M	文件：133.56 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BA1A4P	文件：127.59 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BA1A4Z	文件：75.2 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
1A4-J
功能描述：
整流器 1A 400V RADIAL
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1A4-J供应商更新时间2025-7-15 9:13:00

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