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1A4-TB	文件：54.03 Kbytes Page：3 Pages	1.0AMINIATURESILICONRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1A4-TB	文件：61.22 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASTANDARDDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
AA1A4M	文件：129.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURES ●Biasresistorbuilt-intypeNPNtransistorequipmentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4P	文件：125.31 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURES ●Biasresistorbuilt-intypeNPNtransistorequipmentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4Z	文件：82.56 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1A4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4Z	文件：237.29 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1A4Z	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
AB1A4A	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AB1A4M	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4M	文件：130.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4P	文件：122.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
1A4-J
功能描述：
整流器 1A 400V RADIAL
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1A4-J供应商更新时间2025-7-14 14:02:00

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