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BA1A4Z	文件：229.89 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A4Z	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB1A4A	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BB1A4M	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A4M	文件：136.72 Kbytes Page：2 Pages	TheBN1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A4P	文件：125.51 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBN1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A4Z	文件：106.94 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A4Z	文件：261.529 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BP1A4A	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1A4M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
F1A4	文件：140.72 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.FASTRECOVRYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD

详细参数

型号：
1A4-J
功能描述：
整流器 1A 400V RADIAL
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1A4-J供应商更新时间2025-7-20 14:02:00

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