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BA1A3Q	文件：258.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BA1A3Q	文件：103.36 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BB1A3M	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A3Q	文件：263.99 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BN1A3Q	文件：109.5 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1A3M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
CE1A3Q	文件：338.85 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipzenerdiodeforsurgevoltageabsorption •On-chipbiasresistor:R1=1.0kΩ,R2=10kΩ •Lowpowerconsumptionduringdriving: VOL=0.12V@VI=5.0V,IC=0.5A •On-chipdumperdiodeforreversecable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CE1A3Q	文件：125.73 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR TheCE1A3Qisatransistorofon-chiphighhFEresistorincorporatingdumperdiodeincollectortoemitterandzenerdiodeincollectortobaseasprotectelements.ThistransistorisidealforactuatordrivesofOAequipmentsandelectricequipments. FEATURES •On-chipzenerdiodeforsur	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
F1A3	文件：152.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
F1A3	文件：126.29 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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产品属性

产品编号：
1A3-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-1，轴向
供应商器件封装：
R-1
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A R-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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