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BB1A3M	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUND TRANSISTOR on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A3Q	文件：263.99 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BN1A3Q	文件：109.5 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1A3M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
CE1A3Q	文件：125.73 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR TheCE1A3Qisatransistorofon-chiphighhFEresistorincorporatingdumperdiodeincollectortoemitterandzenerdiodeincollectortobaseasprotectelements.ThistransistorisidealforactuatordrivesofOAequipmentsandelectricequipments. FEATURES •On-chipzenerdiodeforsur	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
CE1A3Q	文件：338.85 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipzenerdiodeforsurgevoltageabsorption •On-chipbiasresistor:R1=1.0kΩ,R2=10kΩ •Lowpowerconsumptionduringdriving: VOL=0.12V@VI=5.0V,IC=0.5A •On-chipdumperdiodeforreversecable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1A3	文件：126.29 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
F1A3	文件：152.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
F1A3	文件：140.72 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.FASTRECOVRYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
F1A3G	文件：137.18 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD

晶体管资料

型号：
BB1A3M...L3N
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.7
wtest：
0.75

详细参数

型号：
BB1A3M
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
COMPOUND TRANSISTOR on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星佑电子有限公司	BB1A4MM	NEC	05+	原厂原装	37051	只做全新原装真实现货供应	询价
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更多BB1A3M供应商更新时间2025-5-23 16:30:00

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