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19N10L-TM3-T	文件：232.7 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET 文件：232.7 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TM3-T	文件：1.76754 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.76754 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
19N10L-TM3-T	文件：1.17888 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17888 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
19N10L-TMS2-T	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：333.11 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TMS4-T	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：333.11 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TMS-T	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：333.11 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TN3-R	文件：232.7 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET 文件：232.7 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TN3-R	文件：1.07457 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.07457 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
19N10L-TN3-R	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：333.11 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
19N10L-TQ2-R	文件：333.11 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：333.11 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC

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更多19N10L供应商更新时间2025-10-11 13:36:00