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18N20F	文件：758.9 Kbytes Page：6 Pages	丝印：18N20F；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 18N20F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：758.9 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多18N20F供应商更新时间2025-9-8 11:06:00

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