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180N10N | 型号:IPI180N10N3G;Package:PG-TO262-3;OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
180N10N | 型号:IPP180N10N3G;Package:PG-TO220-3;OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |
详细参数
- 型号:
180N10N
- 制造商:
Infineon Technologies AG
- 制造商:
Infineon Technologies AG
- 功能描述:
100V,43A,N-channel power MOSFET
- 功能描述:
100V,43A,N Channel Power MOSFET
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
5524 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-220 |
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