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15GN03CA-TB-E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

15GN03CA-TB-E
厂商型号

15GN03CA-TB-E

参数属性

15GN03CA-TB-E 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

功能描述

RF Transistor 10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CP
RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

291.49 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:30:00

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15GN03CA-TB-E规格书详情

15GN03CA-TB-E属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的15GN03CA-TB-E晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

RF Transistor 10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CP

特性 Features

• High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ

• High gain : ⏐S21e⏐2=13dB typ (f=0.4GHz)

Applications

• VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifier

产品属性

更多
  • 产品编号:

    15GN03CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    1.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.6dB @ 0.4GHz

  • 增益:

    13dB @ 0.4GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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