15GN03C分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
15GN03C |
| 参数属性 | 15GN03C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP |
| 功能描述 | 15GN03C |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
53.15 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | SANYO |
| 中文名称 | 三洋 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 18:00:00 |
| 人工找货 | 15GN03C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
15GN03C规格书详情
VHF High-frequency Amplifier Applications
特性 Features
• High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ.
• High gain : |S21e|2=13dB typ (f=0.4GHz).
Applications
• VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifier.
产品属性
- 产品编号：
15GN03CA-TB-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
1.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.6dB @ 0.4GHz
- 增益：
13dB @ 0.4GHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
3-CP
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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