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15GN03CA-TB-E	文件：291.49 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CP RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleCP Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
15GN03CA-TB-E	文件：394.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF High-frequency Amplifi er Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
15GN03CA-TB-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
15GN03C	文件：53.15 Kbytes Page：6 Pages	15GN03C VHFHigh-frequencyAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp. •Highgain:\|S21e\|2=13dBtyp(f=0.4GHz). Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
15GN03CA	文件：55.14 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorVHFHigh-frequencyAmplifierApplications VHFHigh-frequencyAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
15GN03CA	文件：291.49 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleCP RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleCP Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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15GN03FA	文件：56.6 Kbytes Page：6 Pages	VHFHigh-frequencyAmplifierApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:\|S21e\|2=14dBtyp(f=0.4GHz) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim •Halogenfreecompliance Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
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15GN03MA-TL-E	文件：411.4 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorVHFHigh-frequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
15GN03MA-TL-E	文件：302.1 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleMCP RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleMCP Features •Highcut-offfrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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15GN03SA	文件：55.59 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorVHFHigh-frequencyAmplifierApplications VHFHigh-frequencyAmplifierApplications Features •Highcut-offfrequency:fT=1.5GHztyp. •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz). •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim. Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社

产品属性

产品编号：
15GN03CA-TB-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
1.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.6dB @ 0.4GHz
增益：
13dB @ 0.4GHz
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
3-CP
描述：
RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

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