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STB150N3LH6

丝印:150N3LH6;Package:D2PAK;N-channel 30 V, 2.4 m??typ., 80 A, STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in D짼PAK package

文件:1.00361 Mbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    150N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多150N3LH6供应商 更新时间2025-9-21 13:02:00