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130N20N6	文件：895.84 Kbytes Page：12 Pages	型号：IPP130N20NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 200 V Features •N‑channel,normallevel •Lowon‑resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •100%avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
130N20N	文件：1.06956 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISC130N20NM6；Package：PG-TSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •MSL1classifiedacc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IPP130N20NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 200 V

Features •N‑channel,normallevel •Lowon‑resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •100%avalanchetested

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：ISC130N20NM6；Package：PG-TSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •MSL1classifiedacc

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深圳市星辰微电科技有限公司	ISC130N20NM6	Infineon	23+	PG-TSON-8	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳市煦洪科技有限公司	ISC130N20NM6	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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深圳市英卓尔科技有限公司	ISC1416S	ISC	20+	SOP	2960	诚信交易大量库存现货	询价
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更多130N20N供应商更新时间2025-8-4 9:08:00

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