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FQD12P10	文件：2.94782 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-9.4A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FQD12P10TM	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD12P10TM	文件：699.93 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-100V,ID=-13A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQI12P10	文件：635.79 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP12P10	文件：550.92 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF12P10	文件：631.02 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G12P10K	文件：623.74 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG12P10Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G12P10KE	文件：635.82 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG12P10KEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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