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MTM12P10	文件：261.18 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12P10	文件：190.94 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12P10	文件：78.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsP?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12P10	文件：279.74 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12P10G	文件：78.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsP?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP12P10G	文件：967.44 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PAL12P10	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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