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FQPF12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI

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FQPF12N65C

文件：473.94 Kbytes

Page：7 Pages

N-ChannelMOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	12N65TO-220F	士兰	24+		20000	20000	询价
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深圳市一线半导体有限公司	12N6LE	HARRIS	24+	TO-251	53		询价

更多12N65T供应商更新时间2025-7-15 14:45:00

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