丝印：12N60；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.76538 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N60；Package：TO-220F；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：1.76538 Mbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丝印：12N60；Package：TO-220C；12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：897.58 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N60；Package：TO-220C；12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：898.09 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N60；Package：TO-220C；12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：897.54 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N60；Package：TO-220C；12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：898.24 Kbytes 页数：11 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：12N60M2；Package：DPAK；N-channel 600 V, 0.395 Ω typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout

文件：590.55 Kbytes 页数：19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：12N60DM6；Package：DPAK；N-channel 600 V, 345 m廓 typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

文件：326.86 Kbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：12N60M2；Package：I2PAKFP；N-channel 600 V, 0.395 廓 typ., 9 A MDmesh??M2 Power MOSFET in an I짼PAKFP package

文件：380.54 Kbytes 页数：12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：12N60AF；Package：TO-220F(0.5mm)；12A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件：885.41 Kbytes 页数：5 Pages

YFWDIODE

佑风微电子