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SPI11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPP11N60C3	文件：662.11 Kbytes Page：15 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：683.7 Kbytes Page：15 Pages	CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：1.03545 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP11N60C3	文件：339.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW11N60C3	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	11N60C3	Infineon(英飞凌)	24+	标准封装	13048	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	11N60C3	INFINEON/英飞凌	2021+	TO-220F	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	11N60C3	INFINE	2410+	to-220	28000	原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.	询价
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深圳市恒达亿科技有限公司	11N60C3	INFINEON	23+	TO3P	5000		询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	11N60C3	INFINEON	23+	TO3P	9562		询价
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