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1110008	文件：5.44746 Mbytes Page：85 Pages	tyco electronics contents 文件：5.44746 Mbytes 页数：85 Pages	MACOM	MACOM
1110009	文件：5.44746 Mbytes Page：85 Pages	tyco electronics contents 文件：5.44746 Mbytes 页数：85 Pages	MACOM	MACOM
PMEG2020EPK	文件：701.96 Kbytes Page：15 Pages	丝印：11100000；Package：DFN1608D-2；20 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 文件：701.96 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
1110001070	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 7.0m Length 0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 7.0m Length	Molex 莫仕	Molex
1110001080	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 8.0m Length 0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 8.0m Length	Molex 莫仕	Molex
1110001100	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 10.0m Length 0.50mm LaneLink DDR (Dual Data Rate) InfiniBand Cable Assembly, 12X, 10.0m Length	Molex 莫仕	Molex
111000-1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：204-DIMM；包装：散装类别：存储卡，模块存储器 - 模块描述：PC2-5300 1 GB RAM CHIP / NEW	iFixit	iFixit
1110001010	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装描述：1110001010	MOLEX 莫仕	MOLEX

技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2300
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.41
QGD [typ] (nC)：
0.16
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.7
Ptot [max] (W)：
0.285
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43.2
Coss [typ] (pF)：
5.9
Release date：
2015-03-25

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