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技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
-30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2300
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.41
QGD [typ] (nC)：
0.16
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.7
Ptot [max] (W)：
0.285
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43.2
Coss [typ] (pF)：
5.9
Release date：
2015-03-25

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