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10612L6	文件：1.38053 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISZ106N12LM6；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,logiclevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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10612L6

文件：1.38053 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISZ106N12LM6；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features •N-channel,logiclevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

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更多10612L6供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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