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085N15N6	文件：723.35 Kbytes Page：11 Pages	型号：IPB085N15NM6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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085N15N6

文件：723.35 Kbytes

Page：11 Pages

型号：IPB085N15NM6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多085N15N6供应商更新时间2025-7-29 17:12:00

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